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PSMN1R7-30YL,115  与  BSC016N03MS G  区别

型号 PSMN1R7-30YL,115 BSC016N03MS G
唯样编号 A-PSMN1R7-30YL,115 A-BSC016N03MS G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.6mΩ
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 109W 2.5W
输出电容 1082pF -
栅极电压Vgs ±20V 16V
典型关闭延迟时间 - 42ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 -55°C~175°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 100A 28A
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3M
输入电容 5057pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 1.7mΩ@15A,10V -
下降时间 - 16ns
典型接通延迟时间 - 31ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 3 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥8.7135
100+ :  ¥6.6011
1,000+ :  ¥5.4108
1,500+ :  ¥4.705
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

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¥8.7135 

阶梯数 价格
1: ¥8.7135
100: ¥6.6011
1,000: ¥5.4108
1,500: ¥4.705
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